Italija – Tyrimų, bandymų ir moksliniai techniniai imituokliai – AVVISO DI INDAGINE ESPLORATIVA DI MERCATO PROPEDEUTICA ALL’INDIZIONE DI UNA PROCEDURA NEGOZIATA SENZA PUBBLICAZIONE DI UN BANDO AI SENSI DELL’ART. 76 COMMA 2, LETTERA B, PUNTO 2, DEL D. LGS. 36/2023 PER L’AFFIDAMENTO DELLA FORNITURA DI UN SISTEMA DI LITOGRAFIA ELETTRONICA (EBL) PROGETTO DFM.AD003.511 QTECH-STRADA - TERMINE PRESENTAZIONE ISTANZA DI PARTECIPAZIONE ORE 19:00 DEL 26/07/2024

Italija – Tyrimų, bandymų ir moksliniai techniniai imituokliai – AVVISO DI INDAGINE ESPLORATIVA DI MERCATO PROPEDEUTICA ALL’INDIZIONE DI UNA PROCEDURA NEGOZIATA SENZA PUBBLICAZIONE DI UN BANDO AI SENSI DELL’ART. 76 COMMA 2, LETTERA B, PUNTO 2, DEL D. LGS. 36/2023 PER L’AFFIDAMENTO DELLA FORNITURA DI UN SISTEMA DI LITOGRAFIA ELETTRONICA (EBL) PROGETTO DFM.AD003.511 QTECH-STRADA - TERMINE PRESENTAZIONE ISTANZA DI PARTECIPAZIONE ORE 19:00 DEL 26/07/2024

I dalis: Perkančioji organizacija

I.1) Pavadinimas ir adresai:

Oficialus pavadinimas: CNR - Consiglio Nazionale delle Ricerche
Adresas: S.S. 14 Km 163,5
Miestas: Località Basovizza
Pašto kodas: 34149
Šalis: Italija
Asmuo ryšiams:
El-paštas: marco.campani@cnr.it
Interneto adresas (-ai):
Pagrindinis adresas: https://www.iom.cnr.it

II dalis: Objektas

II.1.1) Pavadinimas:

AVVISO DI INDAGINE ESPLORATIVA DI MERCATO PROPEDEUTICA ALL’INDIZIONE DI UNA PROCEDURA NEGOZIATA SENZA PUBBLICAZIONE DI UN BANDO AI SENSI DELL’ART. 76 COMMA 2, LETTERA B, PUNTO 2, DEL D. LGS. 36/2023 PER L’AFFIDAMENTO DELLA FORNITURA DI UN SISTEMA DI LITOGRAFIA ELETTRONICA (EBL) PROGETTO DFM.AD003.511 QTECH-STRADA - TERMINE PRESENTAZIONE ISTANZA DI PARTECIPAZIONE ORE 19:00 DEL 26/07/2024

II.1.2) Pagrindinis BVPŽ kodas:

38970000 Tyrimų, bandymų ir moksliniai techniniai imituokliai

II.1.3) Sutarties tipas:

Kita

II.1.4) Trumpas aprašymas:

Requisiti/caratteristiche tecniche/funzionalità di minima del sistema: 1) Colonna elettronica con energia del fascio elettronico compresa nell’intervallo 50 kV ÷ 100 KV, con correnti del fascio elettronico da ~50pA fino ad almeno ~40nA; 2)Stabilità della corrente del fascio migliore dello 0,2%/h; 3)Dotato di picoamperometro per la determinazione della corrente del fascio di scrittura; 4) Risoluzione linea < 8 nm; 5)Deflessione elettrostatica del fascio elettronico; 6) Beam Blanker “tail free” al punto di cross-over; 7) Sorgente di elettroni termica ad emissione di campo; 8) Rivelatore di elettroni secondari; 9) Pattern Generator: Scan clock 50MHz, DAC 20bit e firmware aggiornabile; 10) Insieme minimo delle modalità di scrittura: a) Scrittura algoritmica da file binari senza la necessità di utilizzo file di tipo CAD: la disponibilità di un software dedicato alla realizzazione di strutture complesse, quali le metalenti di grandi dimensioni (diametro > 500 µm) è essenziale per la gestione e la realizzazione di questo tipo di nanostrutture. È in questo modo possibile, a partire dell’algoritmo che descrive le mappe di fase, produrre un file binario che viene gestito direttamente dal sistema di scrittura elettronica, ottimizzando i tempi di design e fabbricazione; b) Scrittura “Stitch Error Free” (S_E_F) per la creazione di strutture ripetitive: una struttura ripetitiva composta da molteplici singole nanostrutture identiche (ad esempio: reticoli), deve poter essere esposta nelle 2 dimensioni x-y su campioni piatti e su diversi mm di lunghezza (almeno 5mm) e larghezza complessiva della struttura ≥ 100µm, evitando artefatti di unione ai bordi del campo di scrittura (stitching), caratteristici del metodo classico di scrittura denominato “Step&Repeat” (S&R). La modalità di scrittura “S_E_F” per la creazione di strutture ripetitive non deve escludere la possibilità di usare la macchina in modalità di esposizione “S&R”. Gli elementi da esporre in modalità “S&R” e quelli da esporre in modalità “S_E_F” per la creazione di strutture ripetitive devono poter essere presenti nello stesso file di progetto; il sistema dovrà consentire all’utente di scegliere quali oggetti esporre in modalità “S_E_F”; c) Scrittura in zone del campione identificate in precedenza mediante immagini ex-situ ottenute da microscopia elettronica od ottica; 11) Dimensione del campo di scrittura fino a 500μm a 50kV; 12) Stitching pari o migliore di 30 nm (media ±3 σ) per la scrittura in modalità “S&R” su regioni di scrittura da 500 µm. La valutazione deve essere eseguita mediante l’acquisizione di dati statistici completamente automatizzati (utilizzando il fascio di elettroni della macchina) e successiva analisi di almeno 150 punti dati; 13) Errore di sovrapposizione di allineamento nella scrittura di due strati consecutivi non superiore a 25 nm (media ±3 σ) su regioni di scrittura da 500 µm. La valutazione deve essere eseguita mediante l’acquisizione di dati statistici completamente automatizzati (utilizzando il fascio di elettroni della macchina) e successiva analisi di almeno 500 punti dati; 14) Compensazione dinamica e real-time degli errori di fuoco, stigmatismo, distorsione; 15) Software dotato delle funzionalità di correzione dell'effetto di prossimità (PEC - Proximity Error Correction); 16) Stadio portacampioni x-y: a) A controllo interferometrico laser con movimentazione macro mediante motori passo-passo e movimentazione fine con posizionatori piezoelettrici; b) Risoluzione di posizionamento x-y dello stadio portacampioni almeno pari a 2 nm, indipendentemente dalla distanza di lavoro, dalla magnificazione e dalla dimensione della regione di scrittura; c) Corsa minima dello stadio portacampioni pari ad almeno 15mm in direzione Z (asse verticale) per poter gestire substrati di spessore fino a 12 mm; 17) Sistema di gestione del vuoto con precamera automatica per l’inserimento del portacampione nella camera di esposizione, dotato di pompaggio a secco; 18) Sistema compatibile con portacampioni: a) Fino a 8” (diametro) per substrati rotondi; b) Fino a 7” (lato) per substrati quadrati; 19) Dotato di portacampioni universale che possa ospitare campioni da 10 mm2 fino a 4” di diametro, con opportuno supporto “stress free” e livellamento integrato; 20) Misurazione automatica della distanza di lavoro e livellamento dei campioni per la scrittura delle nanostrutture completamente automatizzato, mediante l’utilizzo della funzione di rilevamento automatico dell'altezza e relativa correzione del fuoco durante l’esposizione; 21) Dotato di telecamera CCD integrata; 22) Dotato di armadio contenitore stabilizzato in temperatura per la parte colonna elettronica e camera; 23) Software di gestione che consenta, in una unica suite ed in modalità multi-user: a) Importazione/esportazione dati; b) Editing ed ottimizzazione CAD, (pre- e post- elaborazione); c) Controllo dell’esposizione, con la determinazione automatica del “dwell-time” per strutture definite dall’utente (in entrambe le modalità “S_E_F” e “S&R”); d) Configurazione automatica del sistema (allineamento campo di scrittura - autofocus - autostigmator - luminosità automatica - contrasto automatico); e) Minimo 2 modalità di esposizione preconfigurate ottimizzate: “high throughput” ed “high resolution”; f) Correzione dell'effetto di prossimità (PEC - Proximity Error Correction) del modello e post- processing; g) Metrologia di base (ad es. misurazioni automatiche della larghezza di linea sull’intera area di scrittura). 24) Dotato di ulteriore licenza d’uso del software di sistema per utilizzo “off-line”; 25) Equipaggiato da idoneo chiller per generazione acqua refrigerata. La fornitura del sistema deve includere: 1) Installazione presso i laboratori della stazione appaltante e training operativo del personale; 2) Garanzia di legge (12 mesi) e servizio di assistenza tecnica post-vendita. Maggiori dettagli all'URI https://www.urp.cnr.it/234298-2024

II.2) Aprašymas:

II.2.1) Kitas (-i) šio pirkimo BVPŽ kodas (-ai):

38970000 Tyrimų, bandymų ir moksliniai techniniai imituokliai